RIE相关论文
高选择比反应离子刻蚀(RIE)设备,主要应用于器件制造中Si、Si3N4材料的刻蚀[1].本文介绍了一种用于硅的高选择比反应离子刻蚀设备,......
利用反应离子刻蚀(RIE)技术,可实现晶体硅太阳能电池的亚微米绒面,本文介绍了在多晶硅预制绒基片上进行等离子强化制绒形成亚微米......
反应离子刻蚀是 20 世纪 70 年代产生的一种干法刻蚀技术，至今仍广泛应用于微细加工领域。本文基于科研和实验室应用的角度，提出了一......
本文针对晶Si太阳电池需要的宽谱广角减反性能，利用旋涂法在单晶Si抛光表面制备PS 纳米球单层膜，并通过氧等离子体反应离子刻蚀(......
RECENTLY Gowers and Maurey constructed the first example of Banach space containing no unconditional basic sequence. We ......
Rieger氏综合症为—非进行性常染色体显性遗传性疾病,亦称Axenfel氏综合症。此症可伴发青年性青光眼,如伴发青光眼,则可发展而致......
自从Ｓ．Ｎａｋａｍｕｒａ等人成功地制备了ＧａＮ／ＧａＩｎＮ／ＡｌＧａＮ蓝、绿光ＬＥＤｓ以来，ＧａＮ及其相关化合物的材料生长和器件工艺得到了广泛地研究．由于ＧａＮ材料不同于传统的Ⅲ－Ⅴ族化合物半导体......
微电子机械系统中关键工艺之一就是刻蚀出高深宽比的图形。本文对掺磷多晶硅反应离子刻蚀（RIE）进行了研究。采用两步刻蚀工艺，SF6，CF4，C......
Fabrication of metal suspending nanostructures by nanoimprint lithography(NIL) and isotropic reactiv
We report herein a rational approach for fabricating metal suspending nanostructures by nanoimprint lithography(NIL) and......
本文以市售IgG诊断血清为抗原材料,应用国产琼脂糖进行火箭电泳(RIE),从理论上对RIE法进行蛋白定量时有关因素的影响加以数学处理......
贯穿晶片的穿孔连接可以为GaAs FET提供低阻抗接触,从而明显地改进器件的特性。本文描述了在低压SiCl_4/Cl_2混合气体中简单的厚层......
本文对热处理过程中多晶硅中掺杂磷在 TiSi_2/n+poly-Si复合结构中的再分布行为和产生原因及其对RIE刻蚀的影响进行了系统的研究,......
本文对以SF_6+A_r为反应气体的反应离子刻蚀(RIE)多晶硅工艺进行了研究。研究表明,SF_6+ArRIE多晶硅具有良好的各向异性、选择性以......
本文描述了RIE终点检测系统对高频辐射干扰的抑制,提出几种解决高频干扰的方法
This article describes the RIE endpoint detect......
作者将现有DD—250淀积设备改装后用于RIE刻蚀,能够刻蚀出良好的FEA尖端阵列,并摸索出了一套RIE刻蚀磁敏传感器件的FEA尖端的工艺......
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铁电存储器是将铁电材料集成于半导体存储器的新型存储器,由于材料的特性它同时具有高速、高密度、低功耗和不挥发的优点.铁电存储......
该文从挂篮荷载计算、施工流程、支座及临时固结施工、挂篮安装及试验、合拢段施工、模板制作安装、钢筋安装、混凝土的浇筑及养生......
为探究吕家坨井田地质构造格局,根据钻孔勘探资料,采用分形理论和趋势面分析方法,研究了井田7......
摩擦和粘附问题已经成为影响微机电系统（MEMS）工艺性能和可靠性的主要因素．针对MEMS／NEMS中微构件表面改性问题，采用反应离子刻蚀（RIE）在......
阐述了用于场发射压力传感器发射阴极的硅锥阵列的干法制备工艺,用反应离子刻蚀(RIE)的方法在76 mm(3 in.)的低阻硅片上制备出52个......
以芳香族双迭氮基化合物为交联剂，苯氧基二苯甲酮为光敏剂，聚甲基丙烯酸甲酯（ＰＭＭＡ）为基质树脂，合成了负型激光光致抗蚀剂。该体系能够在氮分......
针对波导沟道制作的蚀刻工艺，讨论利用反应离子束蚀刻技术制备波导沟道的工艺条件对面形的影响，对严重影响面型的草地现象形成原因和......
研究了用反应离子刻蚀技术制作Ｇｅ材料微透镜列阵的工艺过程及影响透镜列阵质量的因素，总结出“小功率，中气流，掺氧气”的优化工艺特点，制......
应用火箭电泳法(RIE)建立并优化了人用狂犬病疫苗抗原的检测方法.以传统的动物NIH法对电泳结果进行验证,实验结果显示该方法特异、......
结合信息技术、生物技术与纳米技术的发展，提出一种基于NEMS技术的“三维纳隙网格阵列微电极生物传感器”设计，用于生物样品在蛋白或......
叙述了在硅双极型超高速工艺中研究使用的多晶硅超自对准技术通过对器件结构的比较，工艺特点的分析，进行了改善关键技术的探讨，并在我......
根据Riemann-Lebesgue-Stieltjes积分的概念,给出了Riemann-Lebesgue-Stieltjes积分的几个性质....
介绍了一种压电型微悬臂梁的制作工艺流程,重点研究了其中硅的反应离子刻蚀(RIE)工艺,分析了工艺参数对刻蚀速率、均匀性和选择比......
金刚石薄膜是最具潜力的微机械结构功能材料之一，但其极高的硬度和化学稳定性使其难以被加工成型。本文采用反应离子刻蚀方法对金刚......
本文主要介绍１ｕｍ双阱双层金属布线硅栅ＣＭＯＳ专用集成电路制造中采用先进的反应离子刻蚀技术，对多种材料如ＬＰＣＶＤ、Ｓｉ３Ｎ４、ＰＥＣＶＥＳｉ３Ｎ４、热ＳｉＯ２、ＰＥＶＥＤＳｉＯ２、ＰＳＧ、ＢＰＳＧ、多晶硅和Ａｌ－Ｓｉ（１．０％）－Ｃｕ（０．５％）合金等进......
自从Ｓ．Ｎａｋａｍｕｒａ等人成功地制备了ＧａＮ／ＧａＩｎＮ／ＡｌＧａＮ蓝、绿光ＬＥＤｓ以来，ＧａＮ及其相关化合物的材料生长和器件工艺得到了广泛地研究．由于ＧａＮ材料不同于传统的Ⅲ－Ⅴ族化合物半导体......
研究应用O2反应离子刻蚀(RIE)直接深刻蚀商用有机玻璃(PMMA)片,以实现微结构的三维微加工,工艺简单,加工成本较低,为微器件的高深......
随着锆钛酸铅(PZT)薄膜在铁电微器件中的广泛应用,薄膜微图形化和刻蚀的研究也日益受到重视.研究表明在薄膜的刻蚀过程中,薄膜表面......
采用金刚石薄膜作为阴-阳极间绝缘介质层是一种新型的微间隙室（MGC）结构。该文详细介绍和讨论了采用常规的微细加工工艺制备基于金刚......
钙钛矿结构的钛酸锶钡（BST）薄膜作为优良的介电、铁电材料在新一代的微机械系统（MEMS）、动态存储（DRAM）及其他器件上的广泛应用，使得BST薄......
本文阐述了反应离子刻蚀（ＲＩＥ）工艺过程中充电效应产生的机理，认为它是由等离子体分布的不均匀性引起的，推导了等离子体充 流的表达式，并根......
在反应离子刻蚀中,可以通过提高刻蚀功率来提高反应离子刻蚀速率,但此时由于反应气体浓度分布的影响,Si片中央和边缘的刻蚀速率存......
本文介绍利用普通接触式曝光系统和等离子刻蚀机来制作亚微米线条。基本工艺是用深紫外线作为光源，对曝光后的光刻胶在ＨＭＤＳ或ＴＭＤＳ气氛下加热......
金刚石薄膜反应离子刻蚀(RIE)必须选用硬掩模,基于掩模刻蚀选择比和掩模图形化加工特性考虑,镍和镍钛合金掩模是较好选择,其中,NiT......
高深度比结构是提高微器性能的重要环节之一。利用ＲＩＥ深刻技术和工具有高深宽比结构的图形，方法简单：它不像ＬＩＧＡ技术那样，需昂贵的同步辐射光......
概述了紫外压印的原理及其优点,并通过对紫外压印模版特殊性的分析,提出了两种紫外压印模版的制作.用反应离子刻蚀法制作了玻璃模......
本文叙述了3μm 宽的钼栅图形的反应离子刻蚀(RIE)工艺并将其用于CMOS IC 的制备中....
根据锥形光纤与平面环型微腔耦合原理,使用L-Edit版图设计软件设计并优化了锥形光波导与微腔耦合系统。利用MEMS工艺对SOI圆晶片进......
